特許

J-GLOBAL ID：200903015322029406

半導体装置

発明者： 福田 早苗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237049
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094738
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】本発明は、簡便な方法で製造できる、ドレイン耐圧が高く、リーク電流が少ない素子特性の良好な薄膜SOIMOSトランジスタを提供することを目的とする。【構成】本発明のSOIMOSトランジスタはすくなくともソース拡散層は、n型、p型の両方の不純物を1020cm-3以上の濃度で含み、かつキャリア濃度となるそれらの差は1019cm-3以上になる部分を有し、ソース領域のバンドギャップがチャネル領域のバンドギャップの幅より狭くなるようにしている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体膜に所定の距離だけ離隔して設けられた1対の第2導電型の不純物領域と、この両領域に挟まれたチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備えた半導体装置において、少なくとも一方の前記第2導電型の不純物領域は第1導電型の不純物と第2導電型の不純物の両方を1020cm-3以上の濃度含み、かつ第1導電型の不純物濃度N1と第2導電型不純物の濃度N2の差N1-N2の絶対値が1019cm-3以上になる部分を有することを特徴とする半導体装置。