特許
J-GLOBAL ID：200903015322031222
半導体分布帰還型レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032207
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235465
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 レーザ光軸に沿って周期的に吸収層が設けられた半導体分布帰還型レーザ装置において、非線型動作をできるだけ抑制し、低しきい値電流動作と高出力を可能にする。【構成】 周期的な吸収層6にキャリアのライフタイムを短縮する不純物を添加しておく。【効果】 吸収層6へのキャリアの蓄積を防止でき、キャリアの蓄積によって生じる吸収の飽和や出力特性のヒステリシスを小さくできる。
請求項（抜粋）：
誘導放出光を発生する活性層と、この活性層に沿って配置されこの活性層が発生した誘導放出光に光分布帰還を施す周期構造とを備え、この周期構造は、前記活性層が発生した誘導放出光に対し吸収性の組成で形成された吸収層を前記活性層に平行なレーザ光軸に沿って周期的に含む半導体分布帰還型レーザ装置において、前記吸収層はキャリアのライフタイムを短縮する不純物元素が添加された層であることを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。
引用特許：
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