特許
J-GLOBAL ID：200903015328397920
液晶表示装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
樺澤 襄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096741
公開番号（公開出願番号）：特開平5-297415
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 フォトリソグラフィー工程を2回に簡略化し、3回のフォトリソグラフィー工程で形成したものと同等な電流-電圧特性をもつ液晶表示装置を提供する。【構成】 ガラス基板11上にITO12および第1の金属層13をスパッタリング法により連続的に成膜する。画素表示電極15およびスイッチング素子14の第1の金属層13のパターニングする。全面にスイッチング素子14の絶縁体層16とスイッチング素子14および配線電極17の第2の金属層18としてタンタル等をスパッタリング法を用いて連続成膜する。絶縁体層16および第2の金属層18を成膜した後、2回目のフォトリソグラフィー工程を用いて、スイッチング素子14の第2の金属層18および配線電極17をパターニングする。第1の金属層13のチタンをエッチングし、画素表示電極15上の第1の金属層13のチタンを除去する。
請求項（抜粋）：
複数の画素表示電極およびこれら画素表示電極に電気的に接続した第1の金属層-絶縁体層-第2の金属層素子構造の非線形抵抗素子を基板上に形成し、この非線形抵抗素子を配線電極により行または列ごとに接続した液晶表示装置において、前記非線形抵抗素子は前記基板上に透明導電膜層を形成して透明導電膜層-第1の金属層-絶縁体層-第2の金属層とし、前記第2の金属層を前記配線電極で形成し、前記透明導電膜層を前記画素表示電極に接続したことを特徴とした液晶表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 510
, G02F 1/133 550
, H01L 27/12
, H01L 49/02
