半導体コンデンサ構造体および形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：合田潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278151
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213565
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】コンデンサ構造の第1極板として多孔性シリコンを利用し、これによってコンデンサに利用できる表面積を大幅に増加させ、かつ達成可能なキャパシタンスを大幅に増加させるコンデンサ構造を提供する。【解決の手段】コンデンサ構造は多孔性シリコンの領域46を有する半導体基板44と、多層誘電体からなる誘電体のコンフォーマル層48と、シリコンのコンフォーマル層50とからなっている。多孔性シリコンの領域がコンデンサ構造の第1極板を形成し、シリコンのコンフォーマル層が前記コンデンサ構造の第2極板を形成し、第1極板が誘電体の前記層によって第2極板から分離されている。

請求項（抜粋）：

表面から内部へ延びている多孔性シリコン領域を有するシリコン基板と、前記多孔性シリコン領域に重なっている、多層誘電体からなる誘電体のコンフォーマル層と、前記誘電体のコンフォーマル層に重なっているシリコンのコンフォーマル層とからなり、前記多孔性シリコン領域がコンデンサ構造の第1極板を形成し、前記シリコンのコンフォーマル層が前記コンデンサ構造の第2極板を形成し、前記第1極板が前記誘電体のコンフォーマル層によって前記第2極板から分離されている半導体コンデンサ構造体。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 625 A , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

マイクロ・マスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-131883 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-019591 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る