特許
J-GLOBAL ID：200903015329927256
半導体光デバイス及びその組立方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-242767
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055712
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 活性領域の近傍にメサ溝を有する半導体光デバイスを応力の集中を避けてメサ主面をヒートシンク材に半田固着させる。【構成】 メサ106主面にのみ半田材104を使用して半田固着するようにした。【効果】 半田固着の際に、半導体レーザ1素子周辺から活性領域102に加わる熱応力を低減することができ、メサ溝103を有する半導体レーザを、放熱効果は高く、かつ寿命の観点からは信頼性の高い、半導体光デバイスの組立方法でもって実現できる。
請求項（抜粋）：
活性領域近傍にメサ溝を有する半導体発光デバイスを、メサ溝を有する半導体主面側が放熱部材に接するように固着させてなる半導体光デバイスにおいて、上記半導体発光デバイスの活性領域を含むメサ部分のみを固着用半田材を用いて放熱部材に固着してなることを特徴とする半導体光デバイス。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 23/40
, H01L 33/00
