特許

J-GLOBAL ID：200903015330461040

単層カーボンナノチューブの製造方法とそれにより得られる単層カーボンナノチューブおよび多孔質体原料

発明者： 飯島 澄男 ,  湯田坂 雅子 ,  張 民芳
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-344397
公開番号（公開出願番号）：特開2002-154813
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】【課題】 生成効率がより高められた単層カーボンナノチューブの製造方法と、その方法により得られ、マイクロ半導体、マイクロカプセルおよびマイクロマシンなどに有用な単層カーボンナノチューブ、およびその方法で用いる多孔質原料を提供する。【解決手段】 金属と炭素からなる多孔質体原料にエネルギーを供給することで単層カーボンナノチューブを得る。

請求項（抜粋）：

金属と炭素からなる多孔質体原料にエネルギーを供給することで単層カーボンナノチューブを得ることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (7件)：

C01B 31/02 101 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/28 ,  D01F 9/133

FI (7件)：

C01B 31/02 101 F ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/24 F ,  C23C 14/28 ,  D01F 9/133

Fターム (18件)：

4G046CA00 ,  4G046CB01 ,  4G046CC06 ,  4K029BA34 ,  4K029BB00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA03 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4L037CS03 ,  4L037FA03 ,  4L037FA04 ,  4L037FA05 ,  4L037PA03 ,  4L037PA05 ,  4L037PA06 ,  4L037PA24 ,  4L037UA20

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 特許第2526782号
  
• 直線状カ-ボンナノチュ-ブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-007598   出願人：大阪瓦斯株式会社
• カーボンナノチューブの製造方法および多孔質SiC材料の製造方法および多孔質SiC材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-109820   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 単層壁カーボンナノチューブの束
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-511359   出願人：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ
• 単層カーボンナノチューブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-225470   出願人：科学技術振興事業団, センターサントルナショナルドラルシェルシュシアンティフィックス, 飯島澄男, 湯田坂雅子, 小海文夫, 高橋邦充, 熊谷幹郎, 坂東俊治, 末永和知
• 単原子層カーボンナノチューブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-093065   出願人：三菱化学株式会社
• フラーレン及びカーボンナノチューブの合成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211662   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

• 特許第2526782号
  
• 特許第2526782号
  
• 直線状カ-ボンナノチュ-ブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-007598   出願人：大阪瓦斯株式会社