特許

J-GLOBAL ID：200903015334725653

半導体装置及びその製造方法

発明者： 下村 奈良和 ,  柳 雅彦 ,  鈴木 誠司
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051610
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067615
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 所望の深さの高融点金属埋め込み層を2μm越えると深い配線接続穴においても良好に形成できること。【構成】 高集積半導体素子の配線接続穴での高融点金属埋め込み層を、第1の高融点金属埋め込み層4、高融点金属中敷き膜5、第2の高融点金属埋め込み層9のサンドウィッチ構造とする。【効果】 2μm程度の深い配線接続穴においても良好な高融点金属埋め込み層の形成が可能となる。

請求項（抜粋）：

高集積半導体素子の配線接続穴での高融点金属埋め込み層が、第1の高融点金属埋め込み層・高融点金属中敷き膜・第2の高融点金属埋め込み層のサンドウィッチ構造からなる半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/46