特許
J-GLOBAL ID:200903015346511314

シリコン酸化膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-060972
公開番号(公開出願番号):特開平9-251997
出願日: 1996年03月18日
公開日(公表日): 1997年09月22日
要約:
【要約】【課題】有機系シランを用いた凝縮CVD法により高品質のシリコン酸化膜を形成すること。【解決手段】原料として、シリコン源のTMSおよび酸素源のO2 の他に、膜質劣化の原因となるアルキル基等の有機官能基の残存量を効果的に少なくできるトルエンを用いる。
請求項(抜粋):
原料ガスとして酸素源ガスおよび有機系シランガスを用いたCVD法によりシリコン酸化膜を基板上に形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、前記原料ガスに、前記シリコン酸化膜中に含まれる有機官能基と選択的に反応する物質を添加することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (2件):
H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 C

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