特許

J-GLOBAL ID：200903015346651850

電磁鋼基板上への単結晶薄膜生成方法及びその単結晶薄膜装置

発明者： 藤岡 洋 ,  尾嶋 正治
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-220804
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063834
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】原子レベルで平坦化された基板上にレーザMBE装置を用いることにより、電磁鋼板上に良質な単結晶薄膜を成長させることができる、電磁鋼基板上への単結晶薄膜生成方法及びその単結晶薄膜装置を提供する。【解決手段】電磁鋼基板12表面にコロイダルシリカによるCMP基板研磨と、この基板12の超高真空中でのアニールを施し、前記基板12上に原子レベルで平坦な結晶表面を形成し、この平坦な結晶表面の酸化膜を熱処理により除去し、レーザーMBE法により前記原子レベルで平坦化された基板12上にターゲット11を用いたIII 族窒化物を成長させる。【選択図】 図10

請求項（抜粋）：

(a)電磁鋼基板表面にコロイダルシリカによるCMP基板研磨と、該基板の超高真空中でのアニールを施し、前記基板上に原子レベルで平坦な結晶表面を形成し、 (b)該平坦な結晶表面の酸化膜を熱処理により除去し、 (c)レーザーMBE法により、前記原子レベルで平坦化された基板上にターゲットを用いたIII 族窒化物を成長させることを特徴とする電磁鋼基板上への単結晶薄膜生成方法。

IPC (5件)：

H01L21/203 ,  C23C14/28 ,  C30B23/08 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

FI (5件)：

H01L21/203 M ,  C23C14/28 ,  C30B23/08 Z ,  C30B29/38 D ,  H01L33/00 C

Fターム (37件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA03 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SB10 ,  4G077SC08 ,  4K029AA02 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029FA03 ,  4K029FA04 ,  4K029FA06 ,  5F041AA31 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH05 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103RR08