特許

J-GLOBAL ID：200903015354868868

エッチング方法およびエッチング装置

発明者： 山崎 舜平 ,  須沢 英臣 ,  酒井 重史 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-332069
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167597
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 シリコン、タングステン、モリブテンを主成分とする材料の異方性エッチングをプラズマを用いないでおこなう方法を提供する。【構成】 ClF3 等のフッ化ハロゲン雰囲気において、被エッチング基板の上部より概略垂直にUV光やレーザー光を照射することによって、フッ化ハロゲンガスの活性化をはかり基板に垂直なエッチング面でのエッチングが側面に比べて、より速いエッチング速度を確保することによって異方性エッチングをおこなうことができる。

請求項（抜粋）：

反応容器内にフッ化ハロゲンを導入する手段と、反応容器内に設置された基板に対して概略垂直に光を照射するための光源と、を有することを特徴とするエッチング装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/302 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-106023
  
• 特開昭64-081322
  
• 特開平2-142127