特許

J-GLOBAL ID：200903015360165291

半導体レーザの製造方法

発明者： 柳 茂
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
代理人 (1件)： 江原 省吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198010
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045690
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 レーザ素子の電極面に透明膜が形成されるのを確実に防止することができる半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 半導体ウェーハ(8)の表面及び裏面に形成された電極面にレジスト膜やポリイミド樹脂膜等の保護膜を形成した後、半導体ウェーハ(8)を複数のレーザ素子にへき開し、このレーザ素子を整列治具で整列保持した状態で、レーザ素子(1)のへき開面(3)(3’)にスパッタにより透明膜(5)を形成する。しかる後、レーザ素子の電極面(6)(7)上の保護膜を、有機溶剤やプラズマアッシングにより除去すると、へき開面に対する透明膜の形成時に保護膜上に形成された透明膜(5)は、保護膜と一緒に除去される。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの表裏に形成された電極面に保護膜を形成した後、半導体ウェーハを複数のレーザ素子にへき開し、このレーザ素子を整列治具で整列保持した状態で、レーザ素子のへき開面にスパッタ等により透明膜を形成し、しかる後、上記電極面上の保護膜を除去することを特徴とする半導体レーザの製造方法。