特許

J-GLOBAL ID：200903015366868448

フラッシュ型E2 PROMの消去方法

発明者： 荒川 秀貴 ,  松谷 和弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341328
公開番号（公開出願番号）：特開平6-076589
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 セルフ・コンバージェンスによる過剰消去抑止の効果を維持しつつ書込み時の消費電流の低減を可能としたフラッシュ型E2 PROMの消去方法を提供する。【構成】 F-N・トンネリングによる消去(ステップS1)後、ドレイン電圧を印加してアバランシェ・ホット・キャリヤを注入し、チャネル濃度とゲート電圧によって決まる収束Vthに自動的に収束させる際に(ステップS2)、このセルフ・コンバージェンスによる収束Vthを、フローティングゲート-ドレイン間の結合容量CD で決まるドレイン電流ID が流れ始める閾値電圧以上とし、書込み時において半選択状態のメモリセルにリーク電流が流れないようにする。

請求項（抜粋）：

ファウラ-ノルドハイム・トンネリングによる消去の後に、ドレイン電圧を印加してアバランシェ・ホット・キャリヤを注入するフラッシュ型E2 PROMの消去方法において、コントロールゲート-フローティングゲート間の結合容量をCC 、フローティングゲート-ドレイン間の結合容量をCD 、紫外線によって消去したときの閾値電圧をUV・E・Vth、プロセスに依存する電圧をVP とするとき、消去後ドレイン電圧VD を印加する際に、【数1】 VG >{1+(CD /CC )}VD -UV・E・Vth-VP なる条件を満足するゲート電圧VG をコントロールゲートに印加することを特徴とするフラッシュ型E2 PROMの消去方法。