特許
J-GLOBAL ID：200903015368144811
分布帰還型半導体レーザとその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042101
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214064
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】共振器内で屈折率変調を位相シフトさせることで安定して単一縦モード発振する分布帰還型半導体レーザ及びその製法である。【解決手段】分布帰還型半導体レーザは、それぞれ周期的並列ストライプ溝の形成された屈折率の異なる部分103、104を含む2つの積層構造部110、111を直列に接続した共振器を有する。2つの部分110、111で、回折格子の製造工程において形成される周期的並列ストライプ溝の山と谷の位置と屈折率の周期的変調の山と谷の位置との関係が反転している。第1の部分110と第2の部分111の接続部分で、屈折率の周期的変調を位相シフトさせ得て、両部分間の屈折率変調の位相の不連続がλ/4シフトと同等に作用して安定した単一縦モード発振できる。
請求項（抜粋）：
活性層の近傍に光分布帰還を施す回折格子を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、それぞれ周期的並列ストライプ溝の形成された屈折率の異なる部分を含む2つの積層構造部を直列に接続した共振器を有し、回折格子を形成する周期的並列ストライプ溝の山と谷の位置と屈折率の周期的変調の山と谷の位置との関係が、該2つの積層構造部において反転していることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H04B 10/28
, H04B 10/02
