特許

J-GLOBAL ID：200903015373978674

処理金属酸化物半導体粒子の製造方法、該方法で製造される処理金属酸化物半導体粒子を用いた光電変換電極の製造方法および光電変換セル

発明者： 安藤 宗徳
出願人/特許権者： 東洋インキ製造株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-199572
公開番号（公開出願番号）：特開2007-018891
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】色素増感型光電変換セルにおいて、色素を増感部として結合する酸化チタン多孔質層が表面積の大きさを利用して効率的に光電変換できる特徴を活かし、増感部の耐久性が強く太陽光に対し幅広い波長域で吸収能をもつ化合物半導体系材料として好適な処理金属酸化物半導体粒子の製造方法の提供。【解決手段】平均一次粒子径1nm以上200nm以下の金属酸化物半導体粒子と、銅の塩またはキレート化合物と、イオウ源化合物と、必要に応じて銅以外の金属の塩またはキレート化合物とを接触させ、金属酸化物半導体粒子の表面に銅含有金属硫化物を結着させる処理金属酸化物半導体粒子の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平均一次粒子径1nm以上200nm以下の金属酸化物半導体粒子と、銅の塩またはキレート化合物と、イオウ源化合物とを接触させ、金属酸化物半導体粒子の表面に銅硫化物を結着させることを特徴とする処理金属酸化物半導体粒子の製造方法。

IPC (3件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  C07C 49/92

FI (3件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z ,  C07C49/92

Fターム (26件)：

4G047AA02 ,  4G047AA05 ,  4G047AB05 ,  4G047AC03 ,  4G047AD04 ,  4G047CA02 ,  4G047CA03 ,  4G047CB09 ,  4G047CC03 ,  4G047CD04 ,  4H006AA01 ,  4H006AB78 ,  4H006AB84 ,  5F051AA09 ,  5F051AA14 ,  5F051BA18 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS17 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許4927721号明細書