特許

J-GLOBAL ID：200903015375868469

半導体装置の製造方法

発明者： 宮島 賢治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-280653
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102944
出願日： 1997年10月14日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 銅張積層板から作製された配線板に代わって、絶縁性樹脂フィルム等の配線フィルムを使用し、小型で信頼性の高い半導体装置を安価に製造する方法を提供する。【解決手段】 搬送孔13等が設けられた絶縁性樹脂フィルム12の片面に、インナーリード17等の配線群を形成した後、ヴィアホール用の孔開けを行なう。また、樹脂封止層の外形線に合わせて、切り離し用切り線15を形成する。次いでこの配線フィルムを、打抜き戻し部22が形成された補助板21上に仮止めした後、半導体素子24を実装し、実装部を絶縁性樹脂により被覆・封止する。その後、補助板21の打抜き戻し部22を取り外し、露出した配線フィルムの裏面にはんだボールを格子状に配列し、リフローしてはんだバンプ24とする。その後、切り線15を利用して、樹脂封止された半導体装置を切り離す。

請求項（抜粋）：

絶縁性樹脂フィルムの少なくとも一主面に所要の配線群を形成するとともに、導通用の孔開けを行なう工程と、前記配線群が形成され孔開けがなされた配線フィルムの前記一主面上の所定の位置に、半導体素子を実装する工程と、前記配線群が形成され孔開けがなされた配線フィルムを、剛性を有する補助板上に配置し仮止めする工程と、前記半導体素子の実装部を絶縁性樹脂により被覆し封止する工程と、前記絶縁性樹脂の封止層が形成された樹脂封止体から、前記補助板の一部を取り外す工程と、前記補助板が取り外されて露出した前記配線フィルムの他主面に、外部接続端子を形成し、該外部接続端子をヴィアホールを介して反対主面側の配線群と接続する工程と、前記外部接続端子が形成された樹脂封止体を、前記樹脂封止層の外形線に沿って切り出す工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 311 W ,  H01L 23/12 L