特許

J-GLOBAL ID：200903015377684683

半導体基板の製法

発明者： 伊藤 義夫 ,  森 英史 ,  須郷 満 ,  太刀川 正美
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222021
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053136
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 製造されるSiでなる半導体基板の、原子寸法レベルでみて、ステップを有し、このためダイマ-を有するというステップ面に形成されている主面が、ステップでみてそれに高い再現性を有し、このため、表面準位でみてそれに高い再現性を有するものに形成されるようにする。【構成】 Siでなり且つ鏡面研磨された主面を有する半導体基板を用意する工程と、その半導体基板に対し、水素雰囲気中で、900°C以上の温度での熱処理を、上記半導体基板に、その主面に沿う一方向の温度勾配をもたせて行う。

請求項（抜粋）：

Siでなり且つ鏡面研磨された主面を有する半導体基板を用意する工程と、上記半導体基板に対し、水素雰囲気中で、900°C以上の温度での熱処理を施す工程とを有することを特徴とする半導体基板の製法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/324