特許
J-GLOBAL ID：200903015379970381
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037077
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252418
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 ターンオンさせるのに必要な電圧を引き上げ、ノイズによる誤点弧を引き起こし難くする。【構成】 N- 型半導体基板1の一側にN+ 型カソード領域2を備えると共に、他側にP+ 型アノード領域3を備え、かつ、これらのカソード領域2とアノード領域3の間に電流通路となるN- 型高比抵抗領域4を備え、この高比抵抗領域4を流れる電流を制御するP+ 型ゲート領域5を備えている。ゲート領域5は、従来Si(シリコン)にIII 族元素の添加によりP+ 型ゲートを構成していたものに対して、基板材料(Si)と異種の半導体材料であり、禁制帯幅の広いSiCで構成されている。
請求項（抜粋）：
接合ゲート型のバイポーラ系の半導体装置において、ゲート領域を母体となる材料と異種の禁制帯幅の広い半導体材料で構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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