半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-141936
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261695
出願日： 2006年05月22日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】Siウェハ中にダメージを発生させないフラッシュランプアニール法を実現すること。【解決手段】単結晶半導体領域を含む基板の上方に、光源を配置し、前記光源から放射された光により前記基板を加熱し、かつ、前記光源の1/2パルス幅を1m秒以下に設定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶半導体領域を含む基板の上方に、光源を配置する工程と、前記光源から放射された光により前記基板を加熱する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記光源の1/2パルス幅を1m秒以下に設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 , H01L 21/26

FI (3件)：

H01L21/265 602B , H01L21/265 602C , H01L21/26 J

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭57-064937
特開昭57-064937
トランジスタ構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-095128 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社

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