特許

J-GLOBAL ID：200903015388062730

層処理

発明者： マース,アラン・ダグラス ,  ダン,アリスター・ウイリアム・イーロン ,  グラスパー,ジヨン・ルーイス ,  ピツカーリング,クリストフアー ,  ロビンズ,デイビツド・ジヨン ,  ラツセル,ジヨン
出願人/特許権者： キネテイツク・リミテツド
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-577708
公開番号（公開出願番号）：特表2003-519435
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2003年06月17日
要約：

【要約】基板表面上に層構造を成長する層処理は、成分を堆積するように気相混合物ストリームを基板28に供給し、成長を偏光解析装置12で監視し、この装置の出力を連続する擬似層の実時間成長制御で使用することを含む。ベイシアンアルゴリズムは、擬似層成長パラメータのための確率密度関数を、初期表面組成、成長条件、および成長条件に関連する成長確率から予測するために使用され、この関数は離散サンプルを含む。重みは、最新のセンサ出力に基づいて、発生尤度を示すサンプルに割り当てられる。サンプルの部分集合は、より大きい重みを有するサンプルにより重み付けられた選択尤度で選択される。部分集合は、後の予測された確率密度関数、および成長制御のための関連付けられた擬似層成長パラメータを提供し、擬似層成長のさらなる反復のための予測される確率密度関数になる。

請求項（抜粋）：

層処理の方法であって、表面をエッチングするかあるいは表面上に成長を生成するように表面上に材料を加える処理装置を用い、表面における変化を示す出力を供給するようにセンサで表面を監視し、および層処理のための制御入力の生成に出力を用いることを含み、制御入力は、センサ出力に部分的に基づいて、また変化以前の表面状態および変化予測の基になる処理条件からの変化予測に部分的に基づいて、生成されることを特徴とする層処理の方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  G01B 11/06 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  G01B 11/06 Z ,  H01L 21/302 E

Fターム (32件)：

2F065AA30 ,  2F065BB01 ,  2F065CC19 ,  2F065DD06 ,  2F065FF41 ,  2F065FF50 ,  2F065GG24 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ18 ,  2F065JJ25 ,  2F065LL02 ,  2F065LL33 ,  2F065NN20 ,  2F065QQ00 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ16 ,  2F065QQ41 ,  2F065QQ42 ,  5F004CB09 ,  5F004CB20 ,  5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045BB10 ,  5F045GB09 ,  5F045GB17