特許
J-GLOBAL ID：200903015389656413
モンテカルロシミュレーションを用いたEPMA分析法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
成瀬 勝夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-200737
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338065
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 X線発生領域よりも小さい薄膜試料や微小物試料についても正確な分析ができ、少ない電子数のシミュレーションで正確な分析をすることができるモンテカルロシミュレーションを用いたEPMA分析法を提供する。【解決手段】 X線発生領域より充分に大きいマトリックス中に直方体形状の試料がその上面のみを露して埋め込まれたX線吸収モデルを想定し、このX線吸収モデルにおける試料の縦方向、横方向、及び深さ方向のサイズをその大きさや形状に応じて設定すると共に、計算式中における散乱角度及び回転角度、電子のエネルギーロス、電子が元素に衝突する確率の各計算式において、イオン化ポテンシャル(Kev) 及びスクリーニングパラメータの定数としてJ=11.5Z×10-3 [Kev]、及び、β={5.44Z2/3 /E}×10-3を使用し、入射電子数1000個未満でシミュレーションする。
請求項（抜粋）：
X線発生領域より充分に大きいマトリックス中に直方体形状の試料がその上面のみを露して埋め込まれたX線吸収モデルを想定し、このX線吸収モデルにおける試料の縦方向、横方向、及び深さ方向のサイズをその大きさや形状に応じて設定すると共に、モンテカルロシミュレーション計算式中における以下の計算式(2)〜(4)散乱角度(ω)及び回転角度(φ)の計算式(2)cos(ω,ラジアン)=1-2βR/(1+β-R)φ(ラジアン)=2πR電子のエネルギーロス(ΔE)の計算式(3)E>6.338Jの時ΔE[Kev/cm]=7.85×104 ρΣ〔ZC/A・ln(1.166 E/J)〕/EE≦6.338Jの時ΔE[Kev/cm]=7.85×104 ρΣ(ZC/A/J1/2 )/1.26E1/2電子が元素に衝突する確率(P)の計算式(4)P=(σC/A)/Σ(σC/A)σ(散乱全断面積)=〔πe4 Z(Z+1)〕/〔4En 2 β(β+1)〕〔但し、上記計算式(2)〜(4)において、Eは電子の所有エネルギー(Kev)を、Aは原子量を、ρは密度(g/cm3) を、Zは原子番号を、Jはイオン化ポテンシャル(Kev) を、βはスクリーニングパラメータを、Rは一様乱数(0〜1)を、πは円周率(3.14)を、Cは組成を、eは電子の電荷(-4.8029×10-10 esu )を、En は電子の運動エネルギー(eE/300×103 )をそれぞれ示す〕において、J=11.5Z×10-3 [Kev]、及び、β={5.44Z2/3 /E}×10-3を用い、入射電子数1000個未満でシミュレーションすることを特徴とするモンテカルロシミュレーションを用いたEPMA分析法。
Fターム (34件)：
2G001AA03
, 2G001BA05
, 2G001BA07
, 2G001BA28
, 2G001CA01
, 2G001CA03
, 2G001EA02
, 2G001FA02
, 2G001FA08
, 2G001FA12
, 2G001FA14
, 2G001FA29
, 2G001FA30
, 2G001KA01
, 2G001KA11
, 2G001LA02
, 2G001MA04
, 2G001MA05
, 2G001MA10
, 2G001NA03
, 2G001NA06
, 2G001NA07
, 2G001NA08
, 2G001NA10
, 2G001NA11
, 2G001NA13
, 2G001NA15
, 2G001NA17
, 2G001NA18
, 2G001NA20
, 2G001RA01
, 2G001RA03
, 2G001RA08
, 2G001RA10
