特許

J-GLOBAL ID：200903015393920613

過電流保護回路

発明者： 五十嵐 征輝 ,  西川 幸廣
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-175029
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032476
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 メインIGBTチップにセンスIGBTを付加し、センス電流からメインIGBTのコレクタ電流を等価検出するに当たり、その過電流時に安全動作領域を逸脱させず素子破壊を生じさせないようにする。【解決手段】 センスIGBTのエミッタEsとメインIGBTのエミッタEとの間にMOSFETT1を接続し、これを可変のセンス抵抗として用いることにより、メインIGBTのコレクタ・エミッタ電圧の大きさに関係なく、メインIGBTのコレクタ電流をほぼ一定値に制限し得るようにする。センスIGBTを内蔵しない通常のIGBTについても、過電流保護を図る実施態様例もある。

請求項（抜粋）：

メインIGBTチップ中にセンスIGBTを形成し、このセンスIGBTを流れる電流から前記メインIGBTの電流を等価検出し、メインIGBTのコレクタ電流を制限してその保護を図る過電流保護回路において、前記センスIGBTのエミッタとメインIGBTのエミッタとの間にMOSFETを、このMOSFETのゲートには抵抗を介してメインIGBTのゲートを、また、前記MOSFETのゲートにはダイオードを介して前記メインIGBTのコレクタ端子をそれぞれ接続し、前記MOSFETのドレン・ソース間電圧をメインIGBTの等価電流として検出することを特徴とする過電流保護回路。