特許

J-GLOBAL ID：200903015400035582

X線マスクの製造方法

発明者： 伊東 敏雄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052752
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267830
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 X線吸収体パタ-ンの微細な加工を容易に行うことができるX線マスクの形成方法を提供すること。【構成】 BN膜30上にTi膜36を介して形成した厚さ1.0μmのW膜34上に、単量体単位毎にC-O-Si結合を有する、線状のポリ(シロキサン)1.0gとトリフェニルトリフルオロメタンスルホネート10mgを溶解したレジスト溶液を回転塗布し、80°Cで1分間べ-クを行って厚さ0.3μmのレジスト膜38を形成し、これに、加速電圧20kV、露光量5μC/cm2 の条件下で選択的に電子線を照射後、120°Cの温度下で2分間べ-ク後現像し酸化膜パタ-ン40を形成する。次に、SF6 を導入し、酸化膜パタ-ン40をエッチングマスクとしW膜34をエッチングしてX線吸収体パタ-ン42を形成する。

請求項（抜粋）：

X線を透過させるメンブレンと、その上に設けたX線を吸収する金属の吸収体を構造の一部分として有する、パタ-ン化されたX線マスクを形成するにあたり、前記メンブレン上にX線吸収体用の金属膜を形成する工程と、該金属膜上に、単量体単位毎にC-O-Si結合を有する、線状またはラダ-状のポリ(シロキサン)からなるシリコ-ン樹脂と放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤とを含む放射線感応性樹脂組成物の薄膜を形成する工程と、前記薄膜に対して選択的に電子線を照射する工程と、電子線を照射した前記薄膜を加熱した後、現像して酸化膜パタ-ンを形成する工程と、前記酸化膜パタ-ンをエッチングマスクとし、前記金属膜に対してエッチングを行う工程とを含むことを特徴とするX線マスクの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16