特許

J-GLOBAL ID：200903015406945165

半導体発光素子

発明者： 出井 康夫 ,  西谷 克彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-149021
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015038
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高度の高輝度化を実現した半導体発光素子を提供することである。【構成】 半導体基板上にダブルヘテロ接合、シングルヘテロ接合またはホモ接合で構成されたInGaAlPを発光層6とする接合層と、前記接合層上に形成された電流フロー調整用の電流拡散層と、前記半導体基板の裏面に形成された第1の電極と、前記電流拡散層上に形成された第2の電極とを備えた半導体発光素子において、前記電流拡散層は、前記発光層よりもバンドギャップエネルギーの大きいn型InGaAlPで構成したものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にダブルヘテロ接合、シングルヘテロ接合またはホモ接合で構成されInGaAlPを発光層とする接合層と、前記接合層上に形成された電流フロー調整用の電流拡散層と、前記半導体基板の裏面に形成された第1の電極と、前記電流拡散層上に形成された第2の電極とを備えた半導体発光素子において、前記電流拡散層は、前記発光層よりもバンドギャップエネルギーの大きいn型InGaAlPで構成したことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-114277
  
• 特開平4-229665
  
• 特開平4-100277
  
• 特開平4-361572