特許

J-GLOBAL ID：200903015409955803

半導体製造装置及びその方法

発明者： 吉田 清一 ,  渡辺 伸吾
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260547
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085351
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 従来廃熱として回収されてきた熱を電気エネルギーとして利用し、エネルギー効率の高い半導体製造装置を提供すること。【解決手段】 複数枚の半導体ウエハを棚状に載置したウエハーボートに対しその周囲から加熱を行う縦型熱処理装置の加熱炉外壁に熱電モジュールをその一面側(内側)が接するように設ける。前記熱電モジュールの他の面(外側)は冷却ジャケットにより冷却される構成となっており、半導体ウエハを加熱する熱処理により熱電モジュールの内外面に温度勾配が生じ、ゼーベック効果により起電力が得られる。熱電モジュールはバッテリーと接続されており、前記起電力によりバッテリーの充電が行われる。一旦バッテリーに蓄積された電力は半導体製造工場内の電気機器に供給される。

請求項（抜粋）：

半導体基板が搬入される処理容器と、この処理容器内を加熱雰囲気として半導体基板を加熱処理するための加熱手段と、この加熱手段により加熱された部分に一面側が対向するように設けられ、ゼーベック効果により生じる起電力を取り出すための熱電モジュールと、この熱電モジュールの他面側に設けられた冷却部と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 35/28

FI (3件)：

H01L 21/22 511 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 35/28 Z

Fターム (8件)：

5F045AD13 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK06 ,  5F045EN04