特許

J-GLOBAL ID：200903015412390973

超伝導リレー

発明者： 吉田 晃
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349391
公開番号（公開出願番号）：特開平10-188754
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 超伝導リレーに関し、磁場による劣化がなく、オン状態で抵抗0、オフ状態で抵抗無限大の超伝導スイッチを得る。【解決手段】 超伝導体薄膜2を有する一対の超伝導体リードを、動作温度における通常の状態において互いの超伝導体薄膜2が電気的に接触するように配置し、少なくとも一方の超伝導体リードを、超伝導体薄膜2と、超伝導体薄膜2の臨界温度近傍において非超伝導性のベース層1とを積層させたバイメタルリード4で構成すると共に、超伝導体薄膜2の臨界温度近傍において、ベース層1の熱膨張率を超伝導体薄膜2の熱膨張率よりも小さくする。

請求項（抜粋）：

超伝導体薄膜を有する一対の超伝導体リードを、動作温度における通常の状態において前記互いの超伝導体薄膜が電気的に接触するように配置した超伝導リレーにおいて、少なくとも一方の前記超伝導体リードを、超伝導体薄膜と、前記超伝導体薄膜の臨界温度近傍において非超伝導性のベース層とを積層させたバイメタルリードで構成すると共に、前記超伝導体薄膜の臨界温度近傍において、前記ベース層の熱膨張率が超伝導体薄膜の熱膨張率よりも小さいことを特徴とする超伝導リレー。

IPC (3件)：

H01H 37/32 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA ,  H01L 39/20 ZAA

FI (3件)：

H01H 37/32 ZAA Z ,  H01L 39/00 ZAA C ,  H01L 39/20 ZAA