特許

J-GLOBAL ID：200903015412703572

レジストパターンの形成方法

発明者： 西村 幸生 ,  甲斐 敏之 ,  小林 英一 ,  塩谷 健夫
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-059808
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258912
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 湿式現像後の膜減り量を比較的大きな値に保持して現像欠陥のないレジストパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 化学増幅ポジ型感放射線性樹脂組成物からなるレジスト膜の未露光部の膜厚が、湿式現像後において、湿式現像前の膜厚よりも100オングストローム〜400オングストロームの範囲で減少するように、該化学増幅ポジ型感放射線性樹脂組成物の組成を制御することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

請求項（抜粋）：

化学増幅ポジ型感放射線性樹脂組成物からなるレジスト膜の未露光部の膜厚が、湿式現像後において、湿式現像前の膜厚よりも100オングストローム〜400オングストロームの範囲で減少するように、該化学増幅ポジ型感放射線性樹脂組成物の組成を制御することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (17件)：

2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-191545   出願人：日立化成工業株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-328680   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-261873   出願人：日本合成ゴム株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-032284   出願人：松下電器産業株式会社