特許
J-GLOBAL ID：200903015413744140
X線マスクおよび転写方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-337862
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152195
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 約44オングストロ-ムないし50オングストロ-ムの波長の軟X線による転写用のX線マスクおよびそのX線マスクによる転写方法を提供する。【構成】 所望のパタ-ンを開口せしめたSiもしくはSi化合物からなる薄膜14の周囲を支持枠11aで支持する。【効果】 X線吸収体の内部応力による歪がなくなり、X線マスクの重ね合わせ精度が向上すると共に、高精度なパタ-ンが得られる。
請求項（抜粋）：
SiもしくはSi化合物からなる薄膜に所望のパタ-ンが形成され、該薄膜の周囲が支持枠で保持されてなることを特徴とするX線マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 331 M
, H01L 21/30 331 E
