特許
J-GLOBAL ID：200903015414427319
回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-077840
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268345
出願日： 1993年04月05日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 出発基材に被圧縮性の多孔質基材を使用し、任意の電極層間のインナビアホール接続を安定に行うことが可能な回路形成用基板の製造方法およびそれを用いた回路基板並びに多層回路基板を得る。【構成】 離形性フィルム1を備えた被圧縮性の多孔質基材2に貫通孔3を設け、前記貫通孔3に導電性ペースト4を充填してペースト中のバインダ成分を基材2中に浸透させてペースト中のバインダに対する導電物質の構成比を増大させる工程、離形性フィルム1を剥離した基材面に金属箔5を張り合わせて加熱加圧し、積層基材を圧縮する工程によって導電物質を緻密化させて金属箔間の電気的接続を図る。
請求項（抜粋）：
離型性フィルムを備えた被圧縮性を有する多孔質基材に貫通孔を設ける工程と、前記貫通孔に導電性ペーストを充填する工程と、前記貫通孔に前記導電性ペーストを充填した前記多孔質基材から前記離型性フィルムを剥離する工程と、前記多孔質基材の前記離型性フィルムを剥離した面に金属箔を張り合わせる工程と、前記金属箔を張り合わせた前記多孔質基材を加熱加圧して圧縮する工程とを有する回路形成用基板の製造方法。
IPC (4件)：
H05K 1/11
, H05K 1/03
, H05K 3/22
, H05K 3/40
