特許

J-GLOBAL ID：200903015415433568

薄膜トランジスタ

発明者： 井樋田 悟史
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086812
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299655
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】ゲート電極をAlとAl合金の2層で構成し、工程数を増すことなく、ヒロックやマイグレーションによる断線のない高信頼性の配線を得る。【構成】透明基板上にAl合金12とAl13を連続成膜し、フォトリソグラフィ技術により1回のエッチングでパターンを切りゲート電極を作る。次に陽極酸化処理により、ゲート電極上の絶縁膜として緻密なAl2 O3 膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、絶縁膜と、半導体層と、ソース・ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極がAlとAlを主成分とする合金の2層で構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/46

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-120068
  
• 特開平4-353830
  
• 金属配線、及びそれを用いた半導体装置及びTFT液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-317699   出願人：松下電器産業株式会社