可変抵抗素子および半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-304438
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120702
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】電界の印加による確実な電気特性の変化の検出を確保しながら、当該素子を組み込む場合の電子回路の制限を低減し、設計における自由度を高いものとすることができる可変抵抗素子および半導体装置を提供する。【解決手段】可変抵抗素子10は、可変抵抗素子層13を備える。可変抵抗層13は、電界が印加されることにより電気的特性に変化が生じる層である。そして、可変抵抗層13には、互いに独立した4つの電極が設けられており、その内の2つの電極で制御電極対1A、1Bが構成され、残りの2つの電極で読出電極対1S、1Dが構成されている。制御電極対1A、1Bは、可変抵抗層13に対して電界を印加する目的で形成されている。また、読出電極対1S、1Dは、抵抗変化を利用するデータパスとして構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電界の変化により電気特性が変化する可変抵抗層を有してなる可変抵抗素子であって、前記可変抵抗層には、互いに独立した第1、第2、第3の3つの電極が接続されており、前記3つの電極は、前記第1の電極および第2の電極が前記可変抵抗層に対して電圧を印加するための制御電極対として構成され、第3の電極が前記電気特性を検出するための読出電極として構成されていることを特徴とする可変抵抗素子。

IPC (6件)：

H01L 27/105 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/824

FI (5件)：

H01L27/10 448 , H01L43/08 M , H01L43/10 , H01L27/04 V , H01L27/10 447

Fターム (19件)：

5F038AV07 , 5F038AV10 , 5F038AV17 , 5F038AV18 , 5F038CA02 , 5F038DF05 , 5F038DF08 , 5F038EZ11 , 5F038EZ12 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA14 , 5F083JA21 , 5F083MA06 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許公報第6583003号公報

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