特許

J-GLOBAL ID：200903015417802471

MOSFETおよびその製造方法

発明者： 鬼頭 孝之
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 山田 義人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-149989
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345964
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【構成】 ゲート電極22とゲート酸化膜18との間に介挿された窒化膜20の膜構造が緻密なため、フッ素イオンやナトリウムイオンが窒化膜20中に入ることはない。したがって、たとえばゲート電極22に注入されるフッ素イオンの注入エネルギーが大き過ぎる場合でも、そのフッ素イオンが窒化膜20を貫通してチャネル領域に入ることはない。また、製造工程またはその後の使用環境においてナトリウムイオンが窒化膜20を貫通してチャネル領域に入ることもない。【効果】 フッ素イオンまたはナトリウムイオンがチャネル領域に混入するのを防止でき、MOSFETの特性変動を確実に防止できる。

請求項（抜粋）：

ゲート酸化膜の上のゲート電極にフッ素イオンを注入したMOSFETにおいて、前記ゲート電極と前記ゲート酸化膜との間に窒化膜を介挿したことを特徴とする、MOSFET。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 658 F