特許

J-GLOBAL ID：200903015418787115

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 佐藤 信司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037733
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236031
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】メモリセルのデータ消去状態のしきい値分布をより狭めることのできる制御方式を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】LSB(ローカルセルフブースト)方式で、セルが消去状態と読出せる範囲内で、消去しきい値分布を高い方に設定し分布を十分狭くする。処理S11のように消去するメモリセルアレイの各ブロック毎に一括書き込みをし、その後、S12のように、所定電圧をスタート電圧とし各ブロック毎にソフト消去して行く。S13の消去ベリファイ読み出しを経てS14に示すようにセルのしきい値と判定基準値が比較される。そこで、セルのしきい値が判定基準値に達していない場合ソフト消去を繰り返す(ループS15)。ソフト消去の所定電圧はスタート電圧より変化させる。すべてのセルのしきい値が判定基準値に達した時点でソフト消去を終了する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電荷蓄積領域及び制御ゲートを有した少なくとも一つの電気的に書き換え可能な不揮発性メモリセルを含むメモリセル部と、前記メモリセル部の一端に電気的に接続され前記不揮発性メモリセルの状態に関する電位を伝達する第1の信号線と、前記メモリセル部の他端に電気的に接続される第2の信号線とを具備し、前記不揮発性メモリセルのしきい値を負にするデータ消去動作に関し、前記不揮発性メモリセルのしきい値を少しずつ負の方向に移動させるソフト消去動作を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/115

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 612 A ,  G11C 17/00 641 ,  H01L 27/10 434

Fターム (17件)：

5B025AA01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD08 ,  5F001AA01 ,  5F001AB02 ,  5F001AB08 ,  5F001AD53 ,  5F001AF20 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP76 ,  5F083ER21 ,  5F083ER22 ,  5F083LA12 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02