特許

J-GLOBAL ID：200903015428080273

酸化イリジウム薄膜上の成膜方法とその応用

発明者： 曽山 信幸 ,  牧 一誠 ,  藤田 悟史
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 千葉 博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169756
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367985
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 均質な表面モホロジーを有する微細でかつ均一な鉛含有ペロブスカイト単層膜を酸化イリジウム電極膜の上に白金層を介在せずに形成する。【解決手段】 酸化イリジウムの薄膜上にシード層を設けて結晶化し、その上に鉛系ペロブスカイト型酸化物を成膜することを特徴とし、シード層として、TiOx、PT、PZTなどを用いる成膜方法ないしその成膜体。

請求項（抜粋）：

酸化イリジウムの薄膜上にシード層を積層し、このシード層を結晶化した後に、その上に鉛系ペロブスカイト型酸化物を成膜することを特徴とする酸化イリジウム薄膜上の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/105

FI (4件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 G ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (17件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F083FR01 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA15 ,  5F083PR00 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34