特許

J-GLOBAL ID：200903015442968430

ダイオード及びダイオードの駆動方法並びに半導体回路

発明者： 長洲 正浩 ,  小林 秀男 ,  坂野 順一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-122117
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316501
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】電力損失を増加させることなく、ダイオードのソフトな逆回復特性を実現する。【構成】n- 基板のアノード側にp+ 領域とp- 領域、カソード側にp+ 領域とn+ 領域を設け、空乏層がカソード側のp+ 領域の到達するパンチスルー電圧VP が、アノード側のpn接合がアバランシェ降伏する電圧VBOより小さくなるようにする。【効果】ダイオードに逆方向電圧が印加されたときにパンチスルー電流が流れるため、キャリアの蓄積領域を設けることなく逆回復特性をソフトにすることができる。

請求項（抜粋）：

一対の主電極間に印加する逆方向電圧の大きさが、第1の逆方向電圧値以下では、実質的に逆方向電流が流れず、第1の逆方向電圧値以上かつ第2の逆方向電圧値以下では、逆方向電流の大きさが逆方向電圧の増加とともに増大し、第2の逆方向電圧値以上では、降伏電流が流れる、という逆方向電流・電圧特性を有することを特徴とするダイオード。

IPC (4件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/872 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/74

FI (6件)：

H01L 29/91 C ,  H03K 17/16 M ,  H03K 17/74 B ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 Z ,  H01L 29/90 P

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特公昭46-002707
  
• 特開昭50-016483
  

審査官引用 (4件)

• 特公昭48-002707
  
• 特公昭48-002707
  
• 特開昭50-016483
  
• 特開昭50-016483