特許
J-GLOBAL ID：200903015444295069
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-208884
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055468
出願日： 1995年08月16日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】ボンディング・オプションのLSIにおける機能決定回路の消費電流を減らし、そのチップ上での占有面積を削減する。【解決手段】機能決定回路を構成するpMOSトランジスタQP1のゲート電極に、このLSI内で発生し、電源電圧VDDと接地電位との間の値を持つ、直流電圧VREF 与える。トランジスタQP1のゲート電圧を従来よりも低下させるので、トランジスタQP1の電流が減る。従って、トランジスタQP1のゲート長を短くできる。トランジスタQP1に並列に第2のpMOSトランジスタを接続し、これに、LSIの電源投入時に節点Aに電荷を供給する機能を持たせると、トランジスタQP1の面積を更に小さくできる。直流電圧として、LSIの降圧電源など、機能決定回路に用いる以外の目的のために発生させた電圧を用いると、電圧発生回路を専用に作るための面積増大がなく、都合が良い。
請求項（抜粋）：
同一チップ上に、本来の信号処理回路とその信号処理回路に作用してこの半導体集積回路の機能を決定する手段とを備える半導体集積回路であって、前記機能決定手段を、ボンディングパッドと、そのボンディングパッドに電源電位点から電荷を供給し又はボンディングパッドから接地電位点に電荷を引き抜くためのトランジスタとを少くとも含む回路で構成し、外部との接続のための端子と前記ボンディングパッドとをボンディングするかしないかによって、製造工程中で前記半導体集積回路の機能決定を行うように構成したボンディング・オプションの半導体集積回路において、前記機能決定手段を構成するトランジスタのゲート電極に、この半導体集積回路内で発生し、電源電圧と接地電位との間の値を持つ、直流電圧を与えることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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