特許
J-GLOBAL ID：200903015446443430
X線露光用マスクおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-188412
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045503
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】Siを構成元素とするX線透過支持膜のX線照射耐性を改善し、前記の変色、可視光透過率の低下、そしてパターンの位置ずれが低減できるX線マスクと、容易に且つ安定して生産性良く行なえるそれの製造方法を提供する。【構成】ケイ素を主な構成元素とするX線透過支持膜を有するX線露光用マスクにおいて、該X線透過支持膜の少なくとも一方の面の表面層は、ケイ素と結合している元素のうち原子数割合で50%以上が酸素であることを特徴とし、好ましくは、表面層は深さDが0<D≦100nmであることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ケイ素を主な構成元素とするX線透過支持膜を有するX線露光用マスクにおいて、該X線透過支持膜の少なくとも一方の面の表面層は、ケイ素と結合している元素のうち原子数割合で50%以上が酸素であることを特徴とするX線露光用マスク。
IPC (2件)：
引用特許：
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