特許

J-GLOBAL ID：200903015447012246

放射線検出装置及びその製造方法

発明者： 野村 慶一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-154118
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347534
出願日： 2002年05月28日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 第2の金属層(スイッチTFTソースドレイン配線)とオーミックコンタクト層(n+層)でのAlスパイクの発生を防止し、MIS型PD下部電極とスイッチTFTのドレイン電極との低抵抗のコンタクトを実現する。【解決手段】 光電変換素子(MIS型PD部)及びスイッチTFT部を、夫々同一部材の第1の電極層、絶縁層305、半導体層306、オーミックコンタクト層307、第2の電極層、第3の電極層の順で積層する。また、第1の電極層と第3の電極層を接続孔311で接続し、スイッチTFTのドレイン電極とMIS型PD下部電極303とを直接接続することで、低抵抗のコンタクトを実現する。

請求項（抜粋）：

放射線信号を可視光に変換する蛍光体と、前記可視光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子の信号を読み出すスイッチTFTとを有する放射線検出装置において、前記光電変換素子及びスイッチTFTは、夫々同一部材の第1の金属層、絶縁層、半導体層、オーミックコンタクト層、第2の金属層、第3の金属層の順で積層され、且つ、前記第1の金属層と第3の金属層が接続孔で接続されていることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  G01T 1/20 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

G01T 1/20 B ,  H01L 27/14 C ,  H01L 27/14 K ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 613 Z

Fターム (56件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG19 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA19 ,  4M118CA33 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  4M118FB25 ,  4M118FB30 ,  4M118GA10 ,  5F110AA03 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM19 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71