特許
J-GLOBAL ID：200903015448453130
炭化珪素単結晶の製造方法及び単結晶製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078290
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264793
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：
【要約】【課題】 過剰なSiリッチな雰囲気とならない炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 炭化珪素原料粉末4とは別に、黒鉛製るつぼ内に少なくとも珪素を含む材料としての珪素粉末7を配置すると共に、該珪素粉末7と炭化珪素単結晶基板3との間を、珪素ガスを通過させることができる仕切板6で仕切り、珪素粉末7から発生させた珪素ガスが仕切板6を通じて炭化珪素単結晶基板3に供給されるようにする。このように、仕切板6を介して珪素ガスが供給されるようにすれば、珪素ガスの供給量を制限することができ、過剰なSiリッチな雰囲気とならないようにできる。具体的には、仕切板6として、ポーラスカーボンを用いることができる。
請求項（抜粋）：
容器(1、2)内に、炭化珪素原料(4)と種結晶となる炭化珪素単結晶基板(3)を配置し、前記原料を加熱昇華させて前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶(10)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記炭化珪素原料とは別に、前記容器内に少なくとも珪素を含む材料(7)を配置すると共に、該珪素を含む材料と前記炭化珪素単結晶基板との間を、珪素ガスを通過させることができる仕切板(6)で仕切り、前記珪素を含む材料から発生させた珪素ガスが前記仕切板を通じて前記炭化珪素単結晶基板に供給されるようにすることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, H01L 21/203 Z
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077ED06
, 4G077EG24
, 5F103AA01
, 5F103BB01
, 5F103BB02
, 5F103BB03
, 5F103BB13
, 5F103BB27
, 5F103DD17
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103JJ01
, 5F103JJ03
, 5F103LL01
, 5F103LL02
, 5F103NN01
, 5F103NN04
, 5F103NN05
, 5F103RR10
