特許
J-GLOBAL ID：200903015452131580
縦型炉
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
守山 辰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210394
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055811
出願日： 1994年08月10日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 断熱性の低下や斑の発生を防止しつつ、炉内を効率良く冷却することができる縦型炉を提供する。【構成】 処理対象の基板5を収容する反応管3と、反応管3の周囲に隙間をもって設けられた筒状のヒータ1とを有し、ヒータ1によって反応管3に収容した基板5を加熱して処理する半導体製造装置の縦型炉において、通孔20が形成された下層側断熱板18と、通孔20に対応する位置から側面まで連続する溝21が形成された上層側断熱板19とを重ねて成る天板17によりヒータ1の上端開口を塞ぎ、ヒータ1の上端に該通孔20と該溝21とから成る放熱用の通路を形成した。
請求項（抜粋）：
処理対象の基板を収容する反応管と、反応管の周囲に隙間をもって設けられた筒状のヒータとを有し、ヒータによって反応管に収容した基板を加熱して処理する半導体製造装置の縦型炉において、通孔が形成された下層側断熱板と、前記通孔に対応する位置から側面まで連続する溝が形成された上層側断熱板とを重ねて成る天板により前記ヒータの上端開口を塞ぎ、当該ヒータの上端に該通孔と該溝とから成る放熱用の通路を形成したことを特徴とする縦型炉。
IPC (3件)：
H01L 21/22 511
, H01L 21/22
, H01L 21/205
