特許

J-GLOBAL ID：200903015453031619

基板上に撥水性被膜を形成する方法

発明者： 角 俊雄 ,  松田 厚範 ,  荻野 悦男 ,  副島 亜矢子
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016332
公開番号（公開出願番号）：特開平6-228755
出願日： 1993年02月03日
公開日（公表日）： 1994年08月16日
要約：

【要約】【目的】基板上に耐摩耗性が大きい撥水性被膜を形成する方法を提供する。【構成】反応容器内に下記A群の二酸化珪素被膜形成成分から選ばれた化合物とB群のフッ素含有化合物と酸素とを用いるプラズマCVD法により、フッ素含有二酸化珪素被膜を基板上に形成する。A群:SiH4、SiCl4、Si(OR1)4(R1は炭素数が1〜4のアルキル基)、B群:RFnSi(OR2)4ーn(RFは炭素原子に結合した水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されているアルキル基)

請求項（抜粋）：

減圧した雰囲気が調整できる容器内で基板上に二酸化珪素被膜をプラズマCVD法により形成する方法において、前記容器内に下記のA、Bの各群から選ばれた少なくとも1種の化合物と酸化性ガスとを同時に導入することを特徴とする、基板上に撥水性のフッ素含有二酸化珪素被膜を形成する方法。A群:SiH4、SiCl4、Si(OR1)4R1は炭素数が1〜4のアルキル基B群:RFnSi(OR2)4ーnRFは炭素原子に結合した水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されているアルキル基。(nは1、2または3)

IPC (2件)：

C23C 16/40 ,  C03C 17/245