特許

J-GLOBAL ID：200903015453436872

メモリカードの不良記憶素子代替回路

発明者： 石田 豊範 ,  仁科 博行
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  日本電気トランスミツシヨンエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257210
公開番号（公開出願番号）：特開平5-073434
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 メモリカードの内部に複数の記憶素子の不良があっても、メモリカードを使用可能にする。【構成】 1個の記憶素子をセグメントという情報単位で8個に分割する。SRAM6を用いて、SRAM上にインデックステーブルを作成し、テーブルを書き替えることによって、記憶素子1〜4の任意の不良部分を、予備用記憶素子5に置き替える。【効果】 1個の記憶素子のみならず、複数個の記憶素子に不良が発見された場合でも、データの代替が可能となる。また、本方法ではSRAM上にテーブルを作成するだけでよい。

請求項（抜粋）：

複数の記憶素子を内蔵し、外部から書き込み読み出し可能なメモリカードの不良記憶素子代替回路において、前記記憶素子の任意の不良部分を代替する予備用記憶素子と、内蔵電池により記憶内容が保持される専用メモリと、この専用メモリに書き込みを行うことで前記記憶素子の任意の不良部分を前記予備用記憶素子に置き替える手段を備えたことを特徴とするメモリカードの不良記憶素子代替回路。

IPC (3件)：

G06F 12/16 310 ,  G06K 19/07 ,  G11C 29/00 301

FI (2件)：

G06K 19/00 J ,  G06K 19/00 N