半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-122260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326496
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】パッド酸化膜の薄膜化を防止して、リーク電流を低減して、歩留りを向上する共に、微細化を達成した半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に、薄い酸化膜2、薄いシリコン窒化膜3、多結晶シリコン膜4を形成し、当該多結晶シリコン膜4の素子領域上に、シリコン窒化膜5からなる素子分離用マクスを形成した後、選択酸化を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に薄い酸化膜を介して形成した多結晶シリコン膜上の素子を形成する部分のみに、耐酸化性膜を形成し、この耐酸化性膜をマスクとして選択酸化を行い、前記半導体基板の素子分離領域に選択酸化膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記薄い酸化膜上に薄いシリコン窒化膜を形成した後に、前記多結晶シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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