特許
J-GLOBAL ID：200903015471753389
GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327632
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163334
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 高温で安定して動作するGaN系MISFETを提供することである。【解決手段】 本発明のGaN系絶縁ゲート型トランジスタ10は、金属ゲート-ゲート絶縁膜-GaN系半導体層からなるGaN系絶縁ゲート型トランジスタであって、ゲート絶縁膜28が、高抵抗のダイヤモンド層24と、AlリッチAlGaN層26との積層構造により形成されている。トランジスタは、p型半絶縁性基板12上に、順次、形成されたp型バッファ層14と、p型AlGaN層16と、AlGaN層上部に埋め込み形成されたn型AlGaN層からなるソース/ドレイン領域18、20と、少なくともゲート電極領域にはダイヤモンド層の密着層として形成された高濃度カーボンドープのAlGaN層22とを備えている。絶縁膜28は密着層上に形成されている。
請求項（抜粋）：
金属ゲート-ゲート絶縁膜-GaN系半導体層からなるGaN系絶縁ゲート型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜が、高抵抗のダイヤモンド層と、GaN系高抵抗性半導体層との積層構造により形成されていることを特徴とするGaN系絶縁ゲート型トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 626 C
