特許
J-GLOBAL ID：200903015472467053
伝送線路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197525
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028505
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】従来のマイクロストリップ型の伝送線路においては中心導体および下面電極形成のための基板材料および誘電体材料の誘電率の影響を受け、線路伝搬の電磁波の速度が低下し、伝搬遅延時間が大きくなり、同時に線路周辺の浮遊容量も大となり線路の高速化と高周波特性に対して障害となっていた。このため、本発明はこのような誘電率の影響を受けない伝送線路の実現を目的としたものである。【解決手段】基板およびその上に形成されている下面電極と中心導体とが空隙をもって配置し得るように支柱および横板で中心導体を支持する構造としている。この支持構造は高周波信号の伝搬、即ち、中心導体及びその近傍に発生する電磁場に影響をおよぼさないように配置される。あるいは、構造的強度を確保するために低誘電率の材料を中心導体周辺の空間に充填する方法としている。
請求項（抜粋）：
金属性の中心導体および下面電極が真空中またはガス中にあり、他の薄膜を介在することなく対向していることを特徴とする伝送線路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
5J014AA02
, 5J014CA06
, 5J014CA07
, 5J014CA14
, 5J014CA42
, 5J014CA53
