特許
J-GLOBAL ID：200903015472688718
単結晶基板品の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222087
公開番号（公開出願番号）：特開平8-091986
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：
【要約】【目的】単分域状態にある強誘電性単結晶基板上に強誘電性単結晶膜を液相エピタキシャル法によって形成するのに際して、成膜後においても、強誘電性単結晶基板の単分域状態を維持するのと共に、単分域状態の単結晶膜を形成できるようにすること。【構成】前記強誘電性単結晶基板のキュリー温度が液相エピタキシャル法における成膜温度よりも高く、この成膜温度が、強誘電性単結晶膜のキュリー温度以上であることを特徴とする。好ましい態様では、強誘電性単結晶基板がニオブ酸リチウムからなり、強誘電性単結晶膜がタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム-タンタル酸リチウム固溶体からなる。
請求項（抜粋）：
強誘電性単結晶基板とこの上に形成された強誘電性単結晶膜とを備えている単結晶基板品を製造する方法であって、前記強誘電性単結晶基板上に前記強誘電性単結晶膜を液相エピタキシャル法によって形成するのに際して、前記強誘電性単結晶基板のキュリー温度が液相エピタキシャル法における成膜温度よりも高く、この成膜温度が、前記強誘電性単結晶膜のキュリー温度以上であることを特徴とする、単結晶基板品の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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