特許
J-GLOBAL ID：200903015475044498
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-236204
公開番号（公開出願番号）：特開平6-082826
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 TFTのオン/オフ特性を向上させる。【構成】 LDD(Lightly Doped Drain)構造のTFTにおいて、少なくとも半導体層30のチャネル部12と中濃度不純物領域23を覆うようにして金属膜15が形成されている。このことにより、光の回り込みによりチャネル部12に光が照射されることはなく、光照射時におけるTFTのオフ電流の上昇が防止できる。さらに、該金属膜15に電圧が印加できるようになっており、金属膜15はTFTに対してサブゲートとして作用する。このことにより、TFTのオフ電流を減少し、オン電流を増加させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に絵素電極がマトリクス状に形成され、該絵素電極の周辺部を通って、複数の走査配線および複数の信号配線が形成され、両配線の交差位置近傍に、絵素電極を駆動する薄膜トランジスタが形成されたアクティブマトリクス基板において、該薄膜トランジスタが5つの領域に区分された半導体層を有し、該5つの領域において、最外領域が各々ソース領域およびドレイン領域となる高濃度不純物領域とされ、その内側が中濃度不純物領域とされ、中央部がチャネル部とされていると共に、該半導体層に対して、間にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられた構成となっており、この状態の薄膜トランジスタの上に、間に1以上の絶縁膜を介して金属膜が該チャネル部と該中濃度不純物領域を少なくとも覆って形成されているアクティブマトリクス基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
