特許

J-GLOBAL ID：200903015484587615

固体撮像装置

発明者： 若野 壽史 ,  安河内 誠
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-082439
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269546
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】 CMOS固体撮像装置において、画素を微細化して行った場合にも、シェーディング発生の抑制を図る。【解決手段】 光電変換部PDとトランジスタ25とを含む画素26を複数配列した画素領域を備え、各画素26に共通の半導体ウェル領域28が形成され、共通の半導体ウェル領域28に対して基準電圧を与えるウェルコンタクト31が、各画素26に複数個(31A,31B)設けられて成る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

光電変換部とトランジスタとを含む画素を複数配列した画素領域を備え、 前記各画素に共通の半導体ウェル領域が形成され、 前記共通の半導体ウェル領域に対して基準電圧を与えるウェルコンタクトが、前記各画素に複数個設けられて成る ことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U

Fターム (13件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA40 ,  4M118DD12 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  5C024CX35 ,  5C024CY47 ,  5C024GY31

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公平8-21704号公報