特許
J-GLOBAL ID：200903015488559896
半導体装置における配線構造の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-290013
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122643
出願日： 1993年10月26日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】開口部の底部に存在する例えばソース・ドレイン領域(不純物拡散領域)に損傷を与えることなく、絶縁層の表面に残された反射防止膜を確実に除去し得る配線構造の形成方法を提供する。【構成】配線構造の形成方法は、(イ)シリコンを構成材料とする基体10上に絶縁層20を形成した後、絶縁層上にSiONから成る反射防止膜22を形成し、(ロ)反射防止膜22及び絶縁層20に開口部24を形成し、(ハ)開口部24内にメタルプラグ26を形成し、(ニ)絶縁層20上の反射防止膜22を除去し、(ホ)開口部24を含む絶縁層20上に配線層28を形成する、各工程から成る。
請求項（抜粋）：
(イ)シリコンを構成材料とする基体上に絶縁層を形成した後、該絶縁層上にSiONから成る反射防止膜を形成する工程と、(ロ)該反射防止膜及び絶縁層に開口部を形成する工程と、(ハ)該開口部内にメタルプラグを形成する工程と、(ニ)絶縁層上の反射防止膜を除去する工程と、(ホ)開口部を含む絶縁層上に配線層を形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置における配線構造の形成方法。
IPC (2件)：
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