特許
J-GLOBAL ID:200903015495510398

マイクロ波半導体装置の試験調整方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-329711
公開番号(公開出願番号):特開2001-147252
出願日: 1999年11月19日
公開日(公表日): 2001年05月29日
要約:
【要約】【課題】 ネジ止め工程を無くして、電気特性測定及び調整の時間を短縮させるとともに、電磁気シールドを確実にして、調整時の特性と封止後の特性を一致させることを可能にするマイクロ波半導体装置の試験調整方法を得る。【解決手段】 シャーシに対し金属箔カバーを連続的に接合し、隙間の無いカバーを形成することにより、電磁気シールドが確保され、安定した電気特性の試験調整を行うことが出来る。この金属箔カバーは、容易に引き剥がし可能であるため脱着が容易であり、試験調整作業時間の短縮化が実現出来る。
請求項(抜粋):
マイクロ波回路基板、マイクロ波半導体集積回路素子及び受動部品とを開口を有する金属製シャーシ上に配置したマイクロ波半導体装置において、金属箔を上記金属製シャーシの開口を覆うように金属製シャーシに接合してカバーを形成する第1の工程、第1の工程後マイクロ波半導体装置の特性を測定する第2の工程、第2の工程後上記カバーを外し、マイクロ波半導体装置の特性を調整する第3の工程、第3の工程後金属箔を再度上記金属製シャーシの開口を覆うように金属製シャーシに接合してカバーを形成しマイクロ波半導体装置の特性を測定する第4の工程、第4の工程後当該特性が満足している場合、上記金属箔上から金属カバーを上記金属製シャーシに固定する第5の工程とを含むマイクロ波半導体装置の試験調整方法。
Fターム (8件):
2G003AA00 ,  2G003AB00 ,  2G003AD00 ,  2G003AE03 ,  2G003AG05 ,  2G003AH04 ,  2G003AH05 ,  2G003AH09

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