半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-002571
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190542
出願日： 1992年01月10日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】本発明は半導体装置の電極配線の形成方法を目的とする。【構成】電極配線膜を形成する下地絶縁膜表面を平坦化し、その上にバリヤ金属膜を形成し、そのバリヤ金属膜表面を平坦化する。絶縁膜の平坦化は、絶縁物をエッチング可能なハロゲンを含む気体と堆積物を形成可能な気体の混合気体を分解し、絶縁膜表面に導入してなされる。またバリヤ金属膜の平坦化は、その金属膜をエッチング可能なハロゲンを含む気体と堆積物を形成可能な気体の混合気体を分解してバリヤ金属表面に導入してなされる。【効果】平坦化した絶縁膜上に形成したAl合金膜は良好な(lll)配向性を示し、信頼性の高い電極配線が得られる。Al合金配線下層にバリヤ金属膜を形成する場合、Al合金膜の(lll)配向性は向上するが、バリヤ金属膜表面を平坦化する場合、(lll)配向性はさらに向上し信頼性の高い電極配線が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜を平滑化する工程と、前記絶縁膜上に高配向化層を形成する工程と、この高配向化層を平滑化する工程と、前記高配向化層上に金属膜を形成する工程とを有する事を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-281736
特開平3-138939
特開昭64-055845

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